石英晶体，石英晶振， 精工晶振
| 价 格： | 0.18 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌/商标： | 精工晶振 | |
| 型号/规格： | 精工晶振 | |
| 种类： | 晶振 | |
| 调整频差： | 6（MHz） | |
| 温度频差： | 65（MHz） | |
| 负载电容： | 2（pF） | |
| 负载谐振电阻： | 65（Ω） | |
| 激励电平： | 62（mW） | |
| 基准温度： | 5（℃） | |
| 插入损耗： | 256（dB） | |
| 阻带衰减： | 2（dB） | |
| 输入阻抗： | 625（kΩ） | |
| 输出阻抗： | 2（kΩ） |
2 电路原理分析
图1 所示的晶振电路假如满足巴克豪林准则就可以振荡. 从负阻的角度来分析电路的工作原理.提供负阻的电路如图3(a)所示, 由反相放大器和表晶两真个负载电容构成.
M1可以替换图1中的invl,忽略沟道长度调制效应、体效应和晶体管的寄生电容. M1的漏电流即是(-I=/C1s)gm ,所
因此
对于S=jw加, 此阻抗由一个即是-gm/(ClCZw2)的负电阻串连C1 和C2组成(图3(b))
如图4 所示, 将表晶和放大器的偏置电阻置于M1 的栅漏两端就构成了前面所述的晶振电路,它可以等效为右边的串连谐振电路, 假如要维持电路振荡,必须保证Zc的实部也就是负阻部分的︱Rosc︱≥Rso其中
这就对反相放大器的gm的大小提出了要求. 分析了gm,的极大值和极小值, gm只有取中间值, 得到的等效负阻的尽对值才大于表晶的串联电阻, 才能够维持晶体的振荡.
设计反相器时, 对gm的取值应该加以留意. 尤其是对32.768KHZ的晶振, 由于其Rs值很大,gm设置不当很轻易导致晶体不振荡. 在设置了合适的电路参数值的情况下, 使用Matlab画出(3)式中Zc相对于gm的轨迹图,如图5所示,横轴是Zc的实部( 电阻部分),纵轴是Zc的虚部(电容部分). 这里使用晶体Rs值为50kΩ.图中竖线对应实轴上的值为50kΩ,也就是说电路可以振荡时gm必须落在竖"
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信息内容：振荡器比谐振器多了一个控制电路。晶体谐振器有一些等效参数，不同的使用环境可能会有不同的要求，比如有些使用中对负载电容 C0 / C1 有要求，选用时还要考虑环境温度、负载电容、频率精度甚至 DLD 等要求，这就要求外围振荡电路的参数要加一些控制才能输出稳定的频率。晶体振荡器就避免了这些麻烦，振荡电路已经由生产厂家做好，使用时只需要提供一个稳定的电源供电就可以有稳定输出了。另外振荡器还有一些辅助功能的，比如，压控晶振（VCXO）、温补晶振（TCXO）、恒温晶振（OCXO）等，这些振荡器可以满足直接使用谐振器时难以做到的一些精密控制。像 OCXO 的频率精度可以做到 E-9 量级。其次，晶振是用晶体谐振器作成的，为了在别的部件上面，作为信号载波，或时序。以符合所生产产品的要求。
晶振，石英晶振，腾达晶振，晶振32.768K
信息内容：老化特性±1ppm/年，内部采用SMD/SMC，并采用激光束和汽相点焊方式封装，高度为4mm。日本富士电气化学公司开发的个人手持电话系统（PHS）等移动通信用VCXO，共有两大类六个系列，为适应SMT要求，全部采用SMD封装。Saronix的S1318型、Vectron国际公司的J型、Champion技术公司的K1526型和Fordahi公司的DFVS1－KH/LH等VCXO，均是表面贴装器件，电源电压为3.3V或5V，可覆盖的频率范围或频率分别为32～120MHz、155MHz、2～40MHz和1－50MHz，牵引度从±25ppm到±150ppm不等。MF电子公司生产的T－VCXO系列产品尺寸为5mm×7mm，曾被业内认为是外形尺寸最小的产品，但这个小型化的记录很快被打破。目前新推出的双频终端机用VCXO尺寸仅为5.8mm×4.8mm，并且有的内装2只VCXO。Raltron电子公司生产的VX－8000系
