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MOS管 三极管 场效应 IRFP350-205PBF IRFP350 IRFP350PBF

价 格: 0.10
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFP350-205PBF
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
开启电压:*(V)
夹断电压:*(V)
跨导:*(μS)
极间电容:*(pF)
低频噪声系数:*(dB)
漏极电流:*(mA)
耗散功率:*(mW)

数据列表 IRFP350
 
产品相片 TO-247-3
 
产品目录绘图 IRFP Series Side 1
IRFP Series Side 2
 
标准包装 500
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 9.6A, 10V
 
漏极至源极电压(Vdss) 400V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A
 
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  2600pF @ 25V
 
功率 - 190W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 TO-247-3
 
包装 管件
 

"

结型场效应管 深圳市广鑫世纪电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 韦蘅珍
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:18922867849
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信息内容:

数据列表 IRF737LC, SiHF737LC 产品相片 TO-220AB PKG 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 750 毫欧 @ 3.7A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 300V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.1A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 430pF @ 25V 功率 - 74W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF737LC

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