价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 菲律宾 | |
型号/规格: | IRF3205PBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MW/微波 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 50(V) | |
夹断电压: | 20(V) | |
极间电容: | 33(pF) | |
低频噪声系数: | 43(dB) | |
漏极电流: | 90(mA) | |
耗散功率: | 97(mW) |
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产品种类: MOSFET Power
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
封装 / 箱体: TO-220AB
电阻汲极/源极 RDS(导通): 8 m Ohms
正向跨导 gFS(值/最小值) : 44 S
汲极/源极击穿电压: 55 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏极连续电流: 98 A
功率耗散: 150 W
工作温度: 175 C
最小工作温度: - 55 C
产品图片dzsc/19/1368/19136874.jpgdzsc/19/1368/19136874.jpg 仙童产品 FDP6670AL,FQD12P10,FDU6680 ,FDS6685,FDS6688FDS7066SN3,FDD8896,FQU11P06,NDC652,SFR9224FDD6680 ,ISL9N312,NDS9435,FDS6990A,FQP4N20SFS9634,FDB667,FDS6676AS,FDB6670A,HUF76107RFD16N05,FDS7064N,FQD2N50,FQD5N20,NDS9435AFDS7760A,FDU8896,FDD6670,SFR9310,FDD6680FDD6680A,FQD13N06,FQD3P50,FQPF3N50,ISL9N308FDD8447,FQD60N03L-422,D15P05,FDD16AN08FDD6630,FQD60N03,FQP60N03,RFD3055,IRFS654SDB75N03,FQD20N06,FDS6990A ,FDS8958A,HUF76129ISL9N308AD3ST,FDB8870 ,FDD6296,FDD8878,FDB8896D10P05,FDB7030,FDB8860,FQPF19N10,NDB603FDP047AN08AO,HUF76419,FDU8896-609,FQP17N40FDS6982S,FDS9926A,ISL9N312AD3ST,FQB140N03FQB34N20,NDB6030,IRL610,HUF76409D3,RFP45N03LFDD6030L,FDS6688 ,FDD120AN15,FDB6035,SFR9224TMISL9N304,FDS4435,IRF630,RFP70N03,FDD6030FQD24N08,SSU2N60,IRFS654B定型脚,ISL9N306AS3STFDD6670A,FDP6030BL,FDD6690A ,FDD6690,FDP6035ALFQD1N80,FDB8880,FDD6690A,FDS3672,FDS6912ASFS9634,SFU9214,FDD8882,RFD15P05,ISL9N308AD3STHUF75329,ISL9N306,FDS4935A,FQD2N80...
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.43 Ohm @ 10 V 正向跨导 gFS(值/最小值) : 10 S 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 12.5 A 功率耗散: 56000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQPF13N50_NL "