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仙童全新原装场效应管FQPF5N60C TO-220F

价 格: 1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童
型号:FQPF5N60C
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:A/宽频带放大
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GaAS-FET砷化镓
开启电压:22(V)
夹断电压:22(V)
跨导:22(μS)
极间电容:22(pF)
低频噪声系数:22(dB)
漏极电流:22(mA)
耗散功率:22(mW)

产品图片

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仙童产品

 FDP6670AL,FQD12P10,FDU6680 ,FDS6685,FDS6688FDS7066SN3,FDD8896,FQU11P06,NDC652,SFR9224FDD6680 ,ISL9N312,NDS9435,FDS6990A,FQP4N20SFS9634,FDB667,FDS6676AS,FDB6670A,HUF76107RFD16N05,FDS7064N,FQD2N50,FQD5N20,NDS9435AFDS7760A,FDU8896,FDD6670,SFR9310,FDD6680FDD6680A,FQD13N06,FQD3P50,FQPF3N50,ISL9N308FDD8447,FQD60N03L-422,D15P05,FDD16AN08FDD6630,FQD60N03,FQP60N03,RFD3055,IRFS654SDB75N03,FQD20N06,FDS6990A ,FDS8958A,HUF76129ISL9N308AD3ST,FDB8870 ,FDD6296,FDD8878,FDB8896D10P05,FDB7030,FDB8860,FQPF19N10,NDB603FDP047AN08AO,HUF76419,FDU8896-609,FQP17N40FDS6982S,FDS9926A,ISL9N312AD3ST,FQB140N03FQB34N20,NDB6030,IRL610,HUF76409D3,RFP45N03LFDD6030L,FDS6688 ,FDD120AN15,FDB6035,SFR9224TMISL9N304,FDS4435,IRF630,RFP70N03,FDD6030FQD24N08,SSU2N60,IRFS654B定型脚,ISL9N306AS3STFDD6670A,FDP6030BL,FDD6690A ,FDD6690,FDP6035ALFQD1N80,FDB8880,FDD6690A,FDS3672,FDS6912ASFS9634,SFU9214,FDD8882,RFD15P05,ISL9N308AD3STHUF75329,ISL9N306,FDS4935A,FQD2N80,HUF75307IRFS730,ISL9N303,IRFR420,FDU8896,RFD16N05LFDI22AN06,RFP70N03S,HUF76113,IRFM210,IRFS634FDP7030BL,D15P05-537,FQPF13N06,FQD2N100,FQPF10N60IRF620,IRLM110,S2N60,SSS4N60B,SSR2N60IRLM220,FDB7030BL,DP6670AL,FDB7045,IRFS450,HUF76429
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仙童系列产品供应

产品规格

 制造商:  Fairchild Semiconductor  
 
产品种类:  MOSFET 功率  
 
RoHS:   详细信息 
 
配置:  Single  
 
晶体管极性:  N-Channel  
 
电阻汲极/源极 RDS(导通):  2.5 Ohms  
 
正向跨导 gFS(值/最小值) :  4.7 S  
 
汲极/源极击穿电压:  600 V  
 
闸/源击穿电压:  /- 30 V  
 
漏极连续电流:  4.5 A  
 
功率耗散:  33 W  
 
工作温度:  150 C  
 
安装风格:  Through Hole  
 
封装 / 箱体:  TO-220F  
 
封装:  Tube  
 
最小工作温度:  - 55 C 
 
零件号别名:  FQPF5N60C_NL

质量

 全新环保,散新拆机包测,质量问题包退换.

公司地址

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联系方式

联系地址:广东省 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)

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公司简介
我们的公司:
深圳市福田区宏诚辉电子商行代理、分销进口原装世界知名品牌单片机、集成电路IC、二三极管、电阻电容和模块,主要产品有:ATMEL、NXP/PHI、ST、TI、ON、AD、INTERSIL、TOREX、SAMSUN、NS、国巨、厚声等品牌,并有一定渠道订购偏冷门和停产IC。
我司还与一些代理商建立了良好的合作关系,在国内也有不少国内工厂的支持,因此我司接受批量订购,价格优惠。
我们的优势:
我们的优势,除了能为客户向工厂提供订货的服务外,本司在光耦、模块、74系列、MAX、AT等产品上货源充足,价格有一定优势。
我们的价值观:
成就客户—我们致力于每位客户的满意和成功。
诚信正直—我们秉持信任、诚实和富有责任感,无论是对内部还是外部。
达成双赢—我们除了尽量满足客户的需求,更主要的是达到双赢,为客户的利益着想,达到共同发展。
我们的诚信:
深圳宏诚辉电子商行实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,以多品种经营特色和薄利多销的原则,赢得了广大客户的信任。

我司还为工厂,外贸客户提供的配套服务,希望与各新老客户建立长期的合作关系,谢谢!

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈义伟
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

专营场效应管FQPF13N50 FQPF13N50C

信息内容:

制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.43 Ohm @ 10 V 正向跨导 gFS(值/最小值) : 10 S 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 12.5 A 功率耗散: 56000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQPF13N50_NL "

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全新原装IGBT单路 场效应管 IHW30N160R2 H30R1602

信息内容:

全新原装IGBT单路 场效应管 IHW30N160R2 H30R1602 全新原装IGBT单路 场效应管 IHW30N160R2 H30R1602 IHW30N160R2 H30R1602产品规格 参数 数据列表 IHW30N160R2 产品相片 TO-247 Pkg 标准包装 240类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 TrenchStop™IGBT 类型 NPT、沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿() 1600V Vge, Ic时的Vce(开) 2.1V @ 15V, 30A 电流 - 集电极 (Ic)() 60A 功率 - 312W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 PG-TO247-3 包装 管件 其它名称 SP000273701

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