价 格: | 1.00 | |
品牌/商标: | APEC台湾富鼎 | |
型号/规格: | AP9974AGH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | .(V) | |
夹断电压: | .(V) | |
极间电容: | .(pF) | |
低频噪声系数: | .(dB) | |
漏极电流: | .(mA) | |
耗散功率: | .(mW) |
优势供应台湾富鼎全系列MOSFET.......................................................................................................
长期优势供应SII全系列电池\晶振...........................项目记号规格条件公称频率f_nom32.768KHz 频率容许偏差f_tol±20ppm, ±50ppm. 顶点温度Ti 25℃ ± 5℃ 二级温度系数B(-3.5±1.0) x 10-8 / ℃2 负载容量CL7.0pF / 9.0pF /12.5pF 等效电阻R165KΩ max. 激励等级DLmax1μW 推荐激励等级DL0.1μW 静电容C00.8pF典型值 频率老化程度f_age±3ppm max.年 25℃±3℃工作温度范围T_use-40℃~ 85℃ 保存温度范围T_stg-55℃~ 125℃