场效应管 FDB6035AL / 6035AL / FDB6035
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FDB6035AL | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 3（V） | |
| 极间电容： | 1250（pF） | |
| 漏极电流： | 48,000（mA） | |
| 耗散功率： | 52,000（mW） |
FDB6035AL中文资料：
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商零件编号 | FDB6035AL |
描述 | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | PowerTrench® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 12毫欧 @ 24A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 48A |
Id时的 Vgs(th)（） | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 15V |
功率 - | 52W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D²PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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场效应管 IRFW820A / IRFW820 / IRFW820ATM / IRFW820TM
信息内容：IRFW820A中文资料： 制造商Fairchild Semiconductor制造商零件编号IRFW820A描述MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-263类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列TEMPFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C3欧 @ 1.25A, 10V漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5AId时的 Vgs(th)（）4V @ 0.25mA闸电荷(Qg) @ Vgs-在 Vds 时的输入电容(Ciss)510pF @ 25V功率 - 49W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装P-TO263-3包装带卷 (TR)公司照片：dzsc/19/1355/19135594.jpgdzsc/19/1355/19135594.jpgdzsc/19/1355/19135594.jpgdzsc/19/1355/19135594.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRFW820A订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
