场效应管 IRFW820A / IRFW820 / IRFW820ATM / IRFW820TM
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | IRFW820A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 极间电容： | 510（pF） | |
| 漏极电流： | 2,500（mA） | |
| 耗散功率： | 49,000（mW） |
IRFW820A中文资料：
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商零件编号 | IRFW820A |
描述 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-263 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | TEMPFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 3欧 @ 1.25A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A |
Id时的 Vgs(th)（） | 4V @ 0.25mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
功率 - | 49W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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