价 格: | 55.00 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | FSBB20CH60F | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
低频噪声系数: | 1 | |
极间电容: | 1 | |
漏极电流: | 1 |
飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。
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"IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/19/1348/19134861.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.75 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压:600 V闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流:9.2 A功率耗散:170000 mW 工作温度: 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:D2PAK封装:Reel 最小工作温度:- 55 C"
5A 500V 高压MOS用于HID疝气灯上飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半 ,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品 网上报价仅供参考,订货前请电话确认!