特价热销IRFS9N60A MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRFS9N60A | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: | dzsc/19/1348/19134861.jpg 详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）: | 0.75 Ohm @ 10 V |
| 汲极/源极击穿电压: | 600 V |
| 闸/源击穿电压: | /- 30 V |
| 漏极连续电流: | 9.2 A |
| 功率耗散: | 170000 mW |
| 工作温度: | 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | D2PAK |
| 封装: | Reel |
| 最小工作温度: | - 55 C |
结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨宝林
- 电话：
- 传真：
- 手机：13902969450
- QQ ：
公司相关产品
热销飞兆用于HID疝气灯上MOS管FQD5N50C
信息内容：5A 500V 高压MOS用于HID疝气灯上飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半 ,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品 网上报价仅供参考，订货前请电话确认！
