供应原装进口WM8766
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | WOLFSON/欧胜微 | |
| 型号/规格： | WM8766 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | MES金属半导体 |
WM8766 WM 04 SSOP28
深圳市万国高科电子有限公司
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AO3400A、AO3401A、AO3415A、AO3434AOS全系列场效应管
信息内容：AO3400类别：分离式半导体产品 家庭：FET-单路 FET型：MOSFETN通道，金属氧化物 FET特点：逻辑电平门 开态Rds（）@Id,Vgs@25°C：26.5毫欧@5.7A,10V 漏极至源极电压(Vdss)：30V 电流-连续漏极(Id)@25°C：5.7A Id时的Vgs(th)（）：1.5V@250μA 闸电荷(Qg)@Vgs：13nC@4.5V 在Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@15V 功率-：1.4W 安装类型：表面贴装
供应IR IRF7342TRPBF原装现货场效应管
信息内容：IR IRF7342TRPBF原装现货场效应管，原装现货。 数据列表 IRF7342PbF 产品相片 8-SOIC 产品目录绘图 IR Hexfet 8-SOIC 标准包装 4,000 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 阵列 系列 HEXFET? FET 型 2 个 P 沟道（双） FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.4A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 105 毫欧 @ 3.4A，10V Id 时的 Vgs(th)（） 1V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 690pF @ 25V 功率 - 2W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装 8-SO 包装 带卷 (TR) 产品目录页面 1521 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 IRF7342PBFTR
