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MOS管 场效应管 NDB410A / NDB410 / D410A / B410A

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:NDB410A 100V 9A
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:4(V)
极间电容:500(pF)
漏极电流:9,000(mA)
耗散功率:50,000(mW)

NDB410A中文资料:

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商零件编号

NDB410A

描述

MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

-

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

250毫欧 @ 4.5A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

100V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

9A

Id时的 Vgs(th)()

4V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

17nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

500pF @ 25V

功率 -

50W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D²PAK

包装

带卷 (TR)

 


公司照片:
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备注:

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2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。

 

 

NDB410A订购及咨询:

深圳市丰尔电子有限公司

电话:0755-83687516(7线)

商务QQ:120279071

MSN: jason-yufo@hotmail.com

E-mail:yufo_ic@163.com

手机: 13590258862 / 13531791171

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深圳市福田区丰尔电子商行
公司信息未核实
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场效应管 FDB6035AL / 6035AL / FDB6035

信息内容:

FDB6035AL中文资料:制造商Fairchild Semiconductor制造商零件编号FDB6035AL描述MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列PowerTrench®FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C12毫欧 @ 24A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48AId时的 Vgs(th)()3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1250pF @ 15V功率 - 52W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D²PAK包装带卷 (TR) 公司照片:dzsc/19/1342/19134298.jpgdzsc/19/1342/19134298.jpgdzsc/19/1342/19134298.jpgdzsc/19/1342/19134298.jpg 备注: 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 FDB6035AL订购及咨询: 深圳市丰尔电子有限公司 电话:0755-83687516(7线) 商务QQ:120279071 MSN: jason-yufo@hotmail.com E-mail:yufo_ic@163.com 手机: 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/ "

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