价 格: | 1.60 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF540NPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | HF/高频(射频)放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
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经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
IRF540NPbF |
TO-220-3, TO-220AB |
IR Hexfet TO-220AB |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
100V |
33A |
44 毫欧 @ 16A, 10V |
4V @ 250µA |
71nC @ 10V |
1960pF @ 25V |
130W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
管件 |
1518 (CN2011-ZH PDF) |
*IRF540NPBF |
数据列表2SA1943产品相片2-21F1A Pkg产品目录绘图Bipolar TO-3P(L) Pin Out标准包装100类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)()15A电压 - 集电极发射极击穿()230VIb、Ic条件下的Vce饱和度()3V @ 800mA, 8A电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 1A, 5V功率 - 150W频率 - 转换30MHz安装类型通孔封装/外壳TO-3PL供应商设备封装TO-3P(L)包装管件产品目录页面1656 (CN2011-ZH PDF)其它名称2SA1943-OQdzsc/19/1309/19130904.jpg
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