场效应管 IRF9530P
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF9530P | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MW/微波 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 类型： | 其他IC |
(以下参数只供参考）
- 晶体管极性:P通道
- 电流, Id 连续:13A
- 电????, Vds :100V
- 在电阻RDS（上）:200mohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
- 功耗, Pd:75W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
- 功率, Pd:75W
- 功耗:75W
- 器件标记:IRF9530N
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极电流, Id 值:-14A
- 热阻, 结至外壳 A:1.9°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds:100V
- 电压, Vds 典型值:-100V
- 电压, Vgs :-4V
- 电流, Idm 脉冲:52A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- 针脚配置:a
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全新原装进口 IRF9540S 场效应管 MOSFET 100V /23A
信息内容：全新原装进口PDF文档链接：http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/218314/IRF/IRF9540NPBF.html 晶体管极性:P通道电流, Id 连续:19A电压, Vds :100V在电阻RDS（上）:117mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:94W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:94W功耗:94W器件标记:IRF9540N封装类型:SO-263AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-23A热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:100V电压, Vds 典型值:-100V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:76A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on :117mohm针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a阈值电压, Vgs th :-4V 买家必读。1本店出售的产品，均保证质量.如证明确有质量问题，请您及时与我联系.我们将于给于处理.收到退货三天内重新发货更换(人为损坏的，上机使用过的货物一概不退换）.2.如果由于邮局或快递公司的原因，导致货没有在规定时间内到达，本店概不接受退款3为了保障您的利益。购买前请联系我们咨询价格，切勿直接付款,请您在购买产品之前先通过旺旺或QQ与...
全新原装 IRF540N 场效应管 MOSFET N 100V 33A
信息内容：晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:27A电压, Vds :100V在电阻RDS（上）:52mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:94W封装类型:so-263针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:94W功耗:94W器件标记:IRF540N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:33A热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:110A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a"
