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IRF7862TRPBF 功率MOS管 DC转Dc芯片 专营IR芯片

价 格: 1.80
材料:GE-N-FET锗N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IRF7862TRPBF
封装外形:SMD(SO)/表面封装
处理信号:模拟信号
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:FM/调频
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
封装:SOP-8

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FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 21A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 3.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 45nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 4090pF @ 15V
功率 - 值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
包装 带卷 (TR)

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深圳市广鑫世纪电子有限公司
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