场效应 IRLR8715CTRLPBF
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRLR8715CTRLPBF | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：9.4 毫欧 @ 21A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：51A
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系列：HEXFET®
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开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：9.4 毫欧 @ 21A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：51A
深圳市福田区时代超想电子商行
公司信息未核实
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