仙童 MOS IGBT 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | TS203 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
仙童 MOS IGBT 场效应管
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- 所属城市：广东 深圳
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热销飞兆MOS管FQPF5N90
信息内容：仙童 飞兆 Fairchild代理Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:MOSFETs RoHS:dzsc/19/1206/19120660.jpg Details Product:General Purpose MOSFETs Configuration:Single Package / Case:TO-220F Transistor Polarity:N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage:900 V Continuous Drain Current:3 A Power Dissipation:51000 mW Forward Transconductance gFS (Max / Min):4 S Resistance Drain-Source RDS (on):2.3 Ohm @ 10 V Typical Fall Time:50 ns Typical Rise Time:65 ns Typical Turn-Off Delay Time:65 ns Packaging:Tube Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V Maximum Operating Temperature:150 C Minimum Operating Temperature:- 55 C Type:MOSFET
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