场效应管 CEU2182,CEU3120,CEU3100
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 型号/规格： | CEU2182,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,42A,0.018Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
CEU2182,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,42A,0.018Ω
CEU75A3,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,60A,
MECP01,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,15A,
CEU4204,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,40V,24A,0.03Ω
CEU540N,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,25A,0.053Ω
CEU05N65,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,650V,4A,2.4Ω
CEU6060N,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,34A,0.025Ω
CEU6426,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,16A,0.066Ω
CEU630N,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,200V,7.5A,0.36Ω
CEU20N06,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.055Ω
CEU2182,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,42A,0.018Ω
CEU4204,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,40V,24A,0.03Ω
如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com
3、TEL:4006262666
4、Q Q:4006262666
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方卫贤
- 电话：0755-82814431
- 传真：0755-82814431
- 手机：
- QQ ：
美台原装快恢复 DSR15V600
信息内容：DSR15V600,TO-220,DIP/快恢复,单管,600V,15A产品型号:DSR15V600特点: * DIODESTAR是高电压整流器，它提供了一种专有工艺： 1.超快速反向恢复（TRR<30ns的）给一个快速开关响应 2.软恢复低EMI噪声 3.优良的高温稳定性 4.高正向浪涌能力 * 实现高效率的PFC电路的升压二极管 * 无铅完成，RoHS规定（注1）封装:TO-220反向重复峰值电压VRRM(V):600反向工作峰值电压VRWM(V):600反向直流电压VR(V):600平均整流输出电流Io(A):15反向电流IR(uA):50 @ VR=600V, TJ=25℃正向浪涌电流IFSM(A):140正向直流电压VF(V):3.2 @ IF=15A, TJ=25℃反向恢复时间trr(ns):30 @ IF=1A,VR=30V,di/dt=100A/us工作结温Tj(℃): -65 to 175存储温度Tstg(℃):-65 to 175应用范围：描述:600V,8A DIODESTAR RECTIFIER(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 AP85U03GH-HF,60T03GH,AP73T02
信息内容：产品型号:AP85U03GH-HF特点：低导通电阻简单的驱动要求快速开关特性符合RoHS及无卤素封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):75源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):60输入电容Ciss(PF):2910 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：53单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.上升时间Tr(ns):87 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ.下降时间Tf(ns):103 typ.温度(℃): -55 ~175描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
