价 格: | 面议 | |
漏极电流: | 10.6A | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | STB10NB50T4,MOS,500V,10.6A,0.6Ω,263 | |
开启电压: | 5 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
夹断电压: | 30 | |
导电方式: | 增强型 |
产品型号:STB10NB50
封装:SOT-263/D2PAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10.6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.6 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):135
极间电容Ciss(PF):1480
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):550
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,10.6A Power MOSFET
应用:
大电流,高开关速度
开关模式电源(SMPS)
DC-AC转换器的焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
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CEU2182,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,42A,0.018ΩCEU75A3,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,60A,MECP01,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,15A,CEU4204,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,40V,24A,0.03ΩCEU540N,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,25A,0.053ΩCEU05N65,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,650V,4A,2.4ΩCEU6060N,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,34A,0.025ΩCEU6426,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,16A,0.066ΩCEU630N,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,200V,7.5A,0.36ΩCEU20N06,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.055ΩCEU2182,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,42A,0.018ΩCEU4204,CET/华瑞,SOT-252,SMD/MOS,N场,40V,24A,0.03Ω如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
DSR15V600,TO-220,DIP/快恢复,单管,600V,15A产品型号:DSR15V600特点: * DIODESTAR是高电压整流器,它提供了一种专有工艺: 1.超快速反向恢复(TRR<30ns的)给一个快速开关响应 2.软恢复低EMI噪声 3.优良的高温稳定性 4.高正向浪涌能力 * 实现高效率的PFC电路的升压二极管 * 无铅完成,RoHS规定(注1)封装:TO-220反向重复峰值电压VRRM(V):600反向工作峰值电压VRWM(V):600反向直流电压VR(V):600平均整流输出电流Io(A):15反向电流IR(uA):50 @ VR=600V, TJ=25℃正向浪涌电流IFSM(A):140正向直流电压VF(V):3.2 @ IF=15A, TJ=25℃反向恢复时间trr(ns):30 @ IF=1A,VR=30V,di/dt=100A/us工作结温Tj(℃): -65 to 175存储温度Tstg(℃):-65 to 175应用范围:描述:600V,8A DIODESTAR RECTIFIER(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)