价 格: | 9.00 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | G30N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
|
dzsc/19/1167/19116773.jpg
dzsc/19/1179/19117961.jpg 数据列表2N4401产品相片TO-92-3 PkgTO-92 PKG产品培训模块Diode Handling and Mounting产品目录绘图TO-92 Side 2其它图纸TO-92 Side 1TO-92 Bottom标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()-电压 - 集电极发射极击穿()40VIb、Ic条件下的Vce饱和度()750mV @ 50mA, 500mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA, 1V功率 - 600mW频率 - 转换250MHz安装类型通孔封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线供应商设备封装TO-92包装带盒 (TB)其它名称2N4401-APTB替代的封装本零件更有以下封装可供选择:
数据列表KSB834产品相片TO-220-3, TO-220AB产品变化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007标准包装200类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)()3A电压 - 集电极发射极击穿()60VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1V @ 300mA, 3A电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 500mA, 5V功率 - 1.5W频率 - 转换9MHz安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装散装 dzsc/19/1180/19118067.jpg"