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供应三极管系列产品 2N4401 600MA 40V 全新的

价 格: 0.15
加工定制:
品牌/商标:Samsung/三星
型号/规格:2N4401
应用范围:开关
材料:硅(Si)
极性:NPN型
结构:平面型
封装形式:直插型
封装材料:塑料封装

dzsc/19/1179/19117961.jpg



 

数据列表产品相片产品培训模块产品目录绘图其它图纸标准包装类别家庭系列晶体管类型电流 - 集电极 (Ic)()电压 - 集电极发射极击穿()Ib、Ic条件下的Vce饱和度()电流 - 集电极截止()在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)功率 - 频率 - 转换安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称
2N4401
TO-92-3 Pkg
TO-92 PKG
Diode Handling and Mounting
TO-92 Side 2
TO-92 Side 1
TO-92 Bottom
2,000
分离式半导体产品
晶体管(BJT) - 单路
-
NPN
-
40V
750mV @ 50mA, 500mA
-
100 @ 150mA, 1V
600mW
250MHz
通孔
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线
TO-92
带盒 (TB)
2N4401-APTB
替代的封装
本零件更有以下封装可供选择:

东莞市东城满通电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 邹德庆
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:13580886332
  • QQ :
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供应三极管系列产品 B834 3A 60V 全新原装

信息内容:

数据列表KSB834产品相片TO-220-3, TO-220AB产品变化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007标准包装200类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)()3A电压 - 集电极发射极击穿()60VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1V @ 300mA, 3A电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 500mA, 5V功率 - 1.5W频率 - 转换9MHz安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装散装 dzsc/19/1180/19118067.jpg"

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供应三极管系列产品 BU806 8A 400V 全新的

信息内容:

数据列表BU806/807产品相片TO-220-3, TO-220AB产品变化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007标准包装1,200类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)()8A电压 - 集电极发射极击穿()200VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1.5V @ 50mA, 5A电流 - 集电极截止()100µA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)-功率 - 60W频率 - 转换-安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装散装其它名称BU806-NDBU806FS dzsc/19/1188/19118811.jpg

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