IXFH10N100P
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IXYS/艾赛斯 | |
| 型号/规格： | IXFH10N100P | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 开启电压： | na（V） | |
| 夹断电压： | na（V） | |
| 跨导： | na（μS） | |
| 极间电容： | na（pF） | |
| 低频噪声系数： | na（dB） | |
| 漏极电流： | na（mA） | |
| 耗散功率： | na（mW） |
| Product Detail |
| Part Num: | IXFH10N100P | |
| Description: | POWER DEVICES > DISCRETE MOSFETs > N-Channel: Power MOSFETs w/Fast Intrinsic Diode (HiPerFETs) > Polar™ HiPerFETs (500V to 1200V) with reduced Rds(on) | |
| Configuration: | Single | |
| Package Style: | TO-247 | |
| Status: | Active Part | |
| Support Docs: |
|
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- 所属城市：上海
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详细内容>>IRFP150MPBF
信息内容：Part: IRFP150MPBFDescription: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M packageSupport Docs: Datasheet Lead Free Datasheet Reliability ReportCross ReferenceIR Part #RecommendedIR Part #DescriptionPartStatusReplacementTypeIRFP150MPBFIRFP150MPBFMOSFET, 100V, 39A, 36 mOhm, 73.3 nC Qg, TO-247ACActiveDIRECTSpecificationsParameterValuePackage TO-247ACCircuit DiscreteVBRDSS (V) 100VGs Max (V) 20RDS(on) Max 10V (mOhms) 36.0ID @ TC = 25C (A) 42ID @ TC = 100C (A) 30Qg Typ (nC) 73.3Qgd Typ (nC) 38.7Rth(JC) (C/W) 0.95Power Dissipation @ TC = 25C (W) 160Part Status Active & PreferredEnvironmental Options Available PbFPackage Class Can Thru-Hole
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信息内容：Product DetailPart Num:IXFT30N50PDescription:POWER DEVICES > DISCRETEMOSFETs > N-Channel: Power MOSFETs w/Fast Intrinsic Diode (HiPerFETs) >Polar™ HiPerFETs (500V to 1200V) with reduced Rds(on)Configuration:SinglePackage Style: TO-268Status:Active PartSupport Docs:DataSheet RecommendedAlternativesCompetingPartsParameter
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