IXFT30N50P
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IXYS/艾赛斯 | |
| 型号： | IXFT30N50P | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | na（V） | |
| 夹断电压： | na（V） | |
| 跨导： | na（μS） | |
| 极间电容： | na（pF） | |
| 低频噪声系数： | na（dB） | |
| 漏极电流： | na（mA） | |
| 耗散功率： | na（mW） |
| Product Detail |
| Part Num: | IXFT30N50P | |
| Description: | POWER DEVICES > DISCRETE MOSFETs > N-Channel: Power MOSFETs w/Fast Intrinsic Diode (HiPerFETs) > Polar™ HiPerFETs (500V to 1200V) with reduced Rds(on) | |
| Configuration: | Single | |
| Package Style: | TO-268 | |
| Status: | Active Part | |
| Support Docs: |
|
Parameter 上海元限电子科技有限公司公司信息未核实
- 所属城市：上海
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王洋
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详细内容>>IRF1404, IRF1404PBF 含税价格
信息内容：SpecificationsParameterValuePackage TO-220ABCircuit DiscreteVBRDSS (V) 40VGs Max (V) 20RDS(on) Max 10V (mOhms) 4.0ID @ TC = 25C (A) 162ID @ TC = 100C (A) 115Qg Typ (nC) 160.0Qgd Typ (nC) 42.0Rth(JC) (K/W) 0.75Power Dissipation @ TC = 25C (W) 200Part Status ActiveEnvironmental Options Available PbFPackage Class Can Thru-Hole
详细内容>>IRFP4110PBF
信息内容：SpecificationsParameterValuePackage TO-247ACCircuit DiscreteVBRDSS (V) 100VGs Max (V) 20RDS(on) Max 10V (mOhms) 4.5ID @ TC = 25C (A) 180ID @ TC = 100C (A) 130Qg Typ (nC) 150.0Qgd Typ (nC) 43.0Rth(JC) (K/W) 0.40Power Dissipation @ TC = 25C (W) 370Part Status ActiveEnvironmental Options Available PbFPackage Class Can Thru-Hole
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