INFINEON全新场效应管/散新管IPW60R045CP
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | IPW60R045CP | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
INFINEON全新场效应管/散新管IPW60R045CP
INFINEON全新场效应管/散新管IPW60R045CP
IPW60R045CP产品规格 参数 PDF
Datasheets IPW60R045CP
Product Photos TO-247 Pkg
Product Training Modules CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Catalog Drawings Mosfets TO-247
Standard Package 240
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series CoolMOS™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 190nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 6800pF @ 100V
Power - Max 431W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package PG-TO247-3
Packaging Tube
Catalog Page 1395 (US2011 Interactive)
1395 (US2011 PDF)
Other Names IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
全新原装 价格优势 IRGPS40B120UD
信息内容：dzsc/19/1163/19116398.jpg配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 栅极/发射极电压: /- 20 V 工作温度: 150 C 封装 / 箱体: TO-268AA-3 集电极连续电流 Ic: 80 A 最小工作温度: - 55 C 安装风格: Through Hole
FSC仙童场效应管 FDS4953 原装
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Dual Dual Drain 晶体管极性: P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.055 Ohm @ 10 V 正向跨导 gFS（值/最小值） : 10 S 汲极/源极击穿电压: 30 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 5 A 功率耗散: 2000 mW 工作温度: 175 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow 封装: Reel 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 2500 零件号别名: FDS4953_NL
