全新原装 价格优势 IRGPS40B120UD
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRGPS40B120UD | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
dzsc/19/1163/19116398.jpg
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
栅极/发射极电压: /- 20 V
工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-268AA-3
集电极连续电流 Ic: 80 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义伟
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FSC仙童场效应管 FDS4953 原装
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Dual Dual Drain 晶体管极性: P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.055 Ohm @ 10 V 正向跨导 gFS（值/最小值） : 10 S 汲极/源极击穿电压: 30 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 5 A 功率耗散: 2000 mW 工作温度: 175 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow 封装: Reel 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 2500 零件号别名: FDS4953_NL
P沟道贴片场效应管 FDS4435A特价
信息内容：产品图片dzsc/19/1175/19117507.jpgdzsc/19/1175/19117507.jpgFDS4435A产品特点制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single Quad Drain Triple Source 晶体管极性: P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.017 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 25 S 汲极/源极击穿电压: - 30 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: - 9 A 功率耗散: 2.5 W 工作温度: 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow 封装: Reel 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 2500 零件号别名: FDS4435A_NL 节能效益分析这里放内容这里放第二段内容T5灯具节能的重大意义这里放段内容这里放第二段内容这里放第三段内容复制整行，还可以放更多段仙童产品 供应仙童系列产品，品质保证！保证原装，符合ROHS环保要求。MOSFET:场效应管FSC FQP50N06 FQP70N08 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 FQP33N1 FQP55N10 FQP90N10V2 FQP46N15 FQP34N20 FQP34N20 FQP13N50 FQP18N50V2 FQP5N60C FQP6N80C FQP7N80 FQP4N90 FQP4N90C FQP5N90 FQP6N90C FQA160N08 FQA70N10 FQA140N10 FQA70...
