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N沟MOSF管IRF520NS

价 格: 5.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF520NS
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:A/宽频带放大
封装外形:SMD(SO)/表面封装
开启电压:10(V)
夹断电压:100(V)
跨导:0(μS)
极间电容:360(pF)
低频噪声系数:0(dB)
漏极电流:920(mA)
耗散功率:3700(mW)

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
270 毫欧 @ 5.5A, 10V
100V
9.2A
4V @ 250µA
16nC @ 10V
360pF @ 25V
3.7W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片
"

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
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N沟MOSF管IRF7413

信息内容:

数据列表IRF7413ZPbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装1类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 13A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13AId 时的 Vgs(th)()2.25V @ 25µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1210pF @ 15V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)包装剪切带 (CT)"

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TVS二极管PESD5V0L4UG T/R

信息内容:

TVS, ESD二极管,SOT-353数据列表PESD(x)L4UG Series产品相片SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP产品培训模块ESD Protection DiodesESD Standards and Products产品目录绘图SOT-353 Pin Out标准包装3,000类别过电压,电流,温度装置家庭TVS - 二极管系列-电压 - 反向隔离(标准值)5V电压 - 击穿5.32V功率(瓦特)30W电极标记4 通道阵列 - 单向安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP(5 引线), SC-88A, SOT-353供应商设备封装SOT-353包装带卷 (TR)"

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