价 格: | 1.00 | |
加工定制: | 是 | |
产品类型: | 瞬变抑制二极管 | |
是否进口: | 是 | |
品牌/商标: | 进口 | |
型号/规格: | PESD5V0L4UG T/R | |
材料: | 硅(Si) | |
主要参数: | N | |
用途: | N | |
备注: | N | |
封装材料: | 塑料封装 | |
功率特性: | 小功率 | |
封装形式: | 贴片型 |
TVS, ESD二极管,SOT-353
PESD(x)L4UG Series |
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP |
ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
SOT-353 Pin Out |
3,000 |
过电压,电流,温度装置 |
TVS - 二极管 |
- |
5V |
5.32V |
30W |
4 通道阵列 - 单向 |
表面贴装 |
6-TSSOP(5 引线), SC-88A, SOT-353 |
SOT-353 |
带卷 (TR) |
SO8, N沟MOSFET数据列表FDS6680A产品相片8-SOIC产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 12.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.5AId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1620pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)包装带卷 (TR)供应商设备封装8-SOICN"
数据列表SS22-210产品培训模块Diode Handling and Mounting产品目录绘图MCC Diode DO-214AC Pkg标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()550mV @ 2A电压 - (Vr)()30V电流 - 平均整流 (Io)2A电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 30V二极管型肖特基速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)-电容@ Vr, F-安装类型表面贴装封装/外壳DO-214AC, SMA供应商设备封装SMA包装带卷 (TR)"