| 价 格: | 0.50 | |
| 产品类型: | 肖特基管 | |
| 是否进口: | 是 | |
| 品牌/商标: | 国产 | |
| 型号/规格: | SS24 | |
| 材料: | 其他 | |
| 电压,Vz: | n | |
| 封装: | n | |
| 工作温度范围: | n(℃) | |
| 功耗: | n | |
| 针脚数: | n | |
| 封装材料: | 塑料封装 | |
| 出光面特征: | 微型管 | |
| 封装形式: | 贴片型 |
NADiodes- Schottky 2A 40V
| SS22-S210 |
| DO-214AA |
| SOD-123; SMB; SMA; SMC |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 单二极管/整流器 |
| - |
| 700mV @ 2A |
| 60V |
| 2A |
| 400µA @ 60V |
| 肖特基 |
| 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io) |
| - |
| - |
| 表面贴装 |
| DO-214AA, SMB |
| SMB |
| 带卷 (TR) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 5.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)360pF @ 25V功率 - 3.7W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片"
数据列表IRF7413ZPbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装1类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 13A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13AId 时的 Vgs(th)()2.25V @ 25µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1210pF @ 15V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)包装剪切带 (CT)"