价 格: | 0.50 | |
产品类型: | 肖特基管 | |
是否进口: | 是 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | SS24 | |
材料: | 其他 | |
电压,Vz: | n | |
封装: | n | |
工作温度范围: | n(℃) | |
功耗: | n | |
针脚数: | n | |
封装材料: | 塑料封装 | |
出光面特征: | 微型管 | |
封装形式: | 贴片型 |
NADiodes- Schottky 2A 40V
SS22-S210 |
DO-214AA |
SOD-123; SMB; SMA; SMC |
3,000 |
分离式半导体产品 |
单二极管/整流器 |
- |
700mV @ 2A |
60V |
2A |
400µA @ 60V |
肖特基 |
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io) |
- |
- |
表面贴装 |
DO-214AA, SMB |
SMB |
带卷 (TR) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 5.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)360pF @ 25V功率 - 3.7W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片"
数据列表IRF7413ZPbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装1类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 13A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13AId 时的 Vgs(th)()2.25V @ 25µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1210pF @ 15V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)包装剪切带 (CT)"