特价热销IRFP264NPBF MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR 国际整流半导体 | |
| 型号： | IRFP264NPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
IR 原装
飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: | dzsc/19/1083/19108349.jpg 详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）: | 0.06 Ohm @ 10 V |
| 汲极/源极击穿电压: | 250 V |
| 闸/源击穿电压: | /- 20 V |
| 漏极连续电流: | 44 A |
| 功率耗散: | 380000 mW |
| 工作温度: | 175 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-247AC |
| 封装: | Tube |
| 最小工作温度: | - 55 C |
- 所属城市：广东 深圳
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仙童 MOS IGBT 场效应管
信息内容：仙童 MOS IGBT 场效应管Manufacturer:MSI Sensors Product Category:Industrial Temperature & Humidity Sensors Temperature Range:- 60 C to 140 C Product:Humidity Sensors Range:0 % RH to 100 % RH Response Time:10 s Supply Voltage:10 VAC
热销飞兆MOS管FQPF5N90
信息内容：仙童 飞兆 Fairchild代理Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:MOSFETs RoHS:dzsc/19/1206/19120660.jpg Details Product:General Purpose MOSFETs Configuration:Single Package / Case:TO-220F Transistor Polarity:N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage:900 V Continuous Drain Current:3 A Power Dissipation:51000 mW Forward Transconductance gFS (Max / Min):4 S Resistance Drain-Source RDS (on):2.3 Ohm @ 10 V Typical Fall Time:50 ns Typical Rise Time:65 ns Typical Turn-Off Delay Time:65 ns Packaging:Tube Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V Maximum Operating Temperature:150 C Minimum Operating Temperature:- 55 C Type:MOSFET
