价 格: | 1.00 | |
品牌: | FUJI/富士通 | |
型号: | 2SK2148 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
低频跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户”的原则为广大客户提供优质的服务,期望和您建立友好的合作关系,欢迎您的来电。
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