价 格: | 1.75 | |
品牌/商标: | INFINEON/英飞凌 | |
型号/规格: | 20N60S5 20n60C3 20N60 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | HEMT高电子迁移率 | |
开启电压: | .(V) | |
夹断电压: | .(V) | |
极间电容: | .(pF) | |
低频噪声系数: | ..(dB) | |
漏极电流: | .(mA) | |
耗散功率: | .(mW) |
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