供应 场效应管 TK11A45D,K11A45D,TK11A45
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK11A45D | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
TK11A45D,TO-220F定型脚,DIP/MOS,N场,450V,11A,0.62Ω
产品型号:TK11A45D 开关稳压器应用
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):11
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.62 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):1050 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):238
导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.
上升时间Tr(ns):25 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:450V,11A N-沟道增强型场效应晶体管
Switching Regulator Applications
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载.)
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK4112,K4112
信息内容：产品型号:2SK4112 开关稳压器应用 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1300 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):251 导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ. 上升时间Tr(ns):20 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ. 下降时间Tf(ns):35 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下 载.)
供应 场效应管 2SK4103,K4103
信息内容：2SK4103,SOT-252,SMD/MOS,N场,500V,5A,1.5Ω 产品型号:2SK4103 开关稳压器应用 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):550 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：2.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180 导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ. 上升时间Tr(ns):10 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:500V,5A N-沟道增强型场效应晶体管 Switching Regulator Applications (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下 载.)
