场效应管 BTS3134D,BTS428L2,BTS3134
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | BTS3134D,SOT-252,infineon,SMD/MOS,42V.3.5A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
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MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
infineon MOSFET场效应管系列:
IPD10N03LAG,SOT-252,25V,30A,0.0104Ω
IPD04N03LAG,SOT-252,infineon,SMD/MOS,30V.80A
IPU04N03LAG,TO-251,infineon,DIP/MOS,30V.80A
IPD09N03LAG,SOT-252,infineon,SMD/MOS,25V.50A
IPU09N03LAG,TO-251,infineon,SMD/MOS,25V.50A
IPD06N03LW,SOT-252,infineon,SMD/MOS,30V.50A
IPU06N03LAG,TO-251,infineon,DIP/MOS,25V.50A
IPP06N03LA,TO-220,infineon,DIP/MOS,25V.50A
IPB06N03LA,SOT-263,infineon,SMD/MOS,25V.50A
IPP50R520CP,TO-220,500V,7.1A,0.52Ω
IPB50R199CP TO-263 08NPB 500V 12A
IPP03N03LBG TO-220 07NPB N场 80A 25V
IPP05N03LBG TO-220 08 N场 80A 30V
IPP055N03LG TO-220 07NPB N场 50A 30V
IPP070N06LG TO-220 07NPB N场 80A 60V
IPP080N03LG TO-220 08 N场 50A 30V
IPP147N03LG TO-220 09NPB N场 20A 30V
SPP80N03S2L-03 TO-220 07NPB N场 80A 30V
SPP80N03S2-03 TO-220 08NPB N场 80A 30V
IPP023N04NG TO-220 08NPB N场 90A 40V
IPP048N06LG TO-220 08NPB N场 100A 60V
IPP26CN10NG TO-220 08NPB N场 35A 100V 现货供应!以优势说话
IPP16CN10LG TO-220 07NPB N场 100A 54V
IPP26CN10NG infineon 08NPB TO-220 N场 35A 100V 现货供应!以优势说话
BSC019N04NSG,BSC020N03MSG,BSC024N025SG
BSC025N03MSG,BSC026N02KSG,BSC029N025SG
BSC030N03LSG,BSC030N03MSG,BSC030N04NSG
BSC035N04LSG,BSC048N025SG,BSC050N03LSG
BSC050N03MSG,BSC054N04NSG,BSC059N04LSG
BSC080N03LSG,BSC080N03MSG,BSC090N03LSG
BSC090N03MSG,BSC100N03LSG,BSC150N03LDG
BSC750N10NDG,BSO052N03S,BSZ040N04LSG
BSZ058N03LSG,BSZ058N03MSG,BSZ088N03LSG
BSZ097N04LSG,BSZ100N03MSG,BSZ165N04NSG
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场效应管 TK7A55D,K7A55D,TK7A55
信息内容：产品型号:TK7A55D封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):7源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4.4功率PD(W):35极间电容Ciss(PF):700通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：3.6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162温度(℃): -55 ~150描述:550V,7A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 SPI11N60CFD 11N60CFD SPI11N60
信息内容：dzsc/19/0906/19090678.jpgSPI11N60CFD,MOS,600V,11A,0.44Ω,262STI13NK60Z,ST,TO-262,DIP/MOS,N场,600V,13ASSI10N60BTU,FAIRCHILD,TO-262,DIP/MOS,N场,600V,10AIPI60R600CP,infineon,TO-262,DIP/MOS,N场,600V,6.1A
