场效应管 TK7A55D,K7A55D,TK7A55
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | TK7A55D,TO-220F,DIP/MOS,N场,550V,7A,1.25Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:TK7A55D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):700
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162
温度(℃): -55 ~150
描述:550V,7A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
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场效应管 SPI11N60CFD 11N60CFD SPI11N60
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快恢复 60EPU06 PBF,40EPF06
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