价 格: | 面议 | |
加工定制: | 是 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | BF199 | |
应用范围: | 放大 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCEO: | 22(V) | |
集电极允许电流ICM: | 33(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 33(W) | |
截止频率fT: | 33(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 金属封装 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: 射频双极小信号
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: NPN
工作频率: 1100 MHz
集电极—发射极电压 VCEO: 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 4 V
集电极连续电流: 0.05 A
功率耗散: 350 mW
工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-92
封装: Bulk
DC Collector/Base Gain hfe Min: 38
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
零件号别名: BF199_NL
ON安森美原装贴片三极管 MMBTA56 ON安森美原装贴片三极管 MMBTA56 MMBTA56产品规格 参数 Datasheets MMBTA(55,56)LT1Product Photos SOT-23Catalog Drawings Transistor SOT-23-3 PkgStandard Package 10Category Discrete Semiconductor ProductsFamily Transistors (BJT) - SingleSeries -Transistor Type PNPCurrent - Collector (Ic) (Max) 500mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mACurrent - Collector Cutoff (Max) 100nADC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1VPower - Max 225mWFrequency - Transition 50MHzMounting Type Surface MountPackage / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Supplier Device Package SOT-23-3Packaging Cut Tape (CT)Catalog Page 1341 (US2011 Interactive)1341 (US2011 PDF)Other Names MMBTA56LT1GOSCT
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: 射频双极小信号 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: NPN 工作频率: 600 MHz 集电极—发射极电压 VCEO: 15 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V 集电极连续电流: 0.05 A 功率耗散: 350 mW 工作温度: 150 C 封装 / 箱体: TO-92 封装: Bulk DC Collector/Base Gain hfe Min: 20 最小工作温度: - 65 C 安装风格: Through Hole