价 格: | 面议 | |
是否提供加工定制: | 是 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | MMBTA56 | |
应用范围: | 放大 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | 22(V) | |
集电极允许电流ICM: | 22(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 22(W) | |
截止频率fT: | 22(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 金属封装 |
ON安森美原装贴片三极管 MMBTA56
ON安森美原装贴片三极管 MMBTA56
MMBTA56产品规格 参数
Datasheets MMBTA(55,56)LT1
Product Photos SOT-23
Catalog Drawings Transistor SOT-23-3 Pkg
Standard Package 10
Category Discrete Semiconductor Products
Family Transistors (BJT) - Single
Series -
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Cut Tape (CT)
Catalog Page 1341 (US2011 Interactive)
1341 (US2011 PDF)
Other Names MMBTA56LT1GOSCT
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: 射频双极小信号 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: NPN 工作频率: 600 MHz 集电极—发射极电压 VCEO: 15 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V 集电极连续电流: 0.05 A 功率耗散: 350 mW 工作温度: 150 C 封装 / 箱体: TO-92 封装: Bulk DC Collector/Base Gain hfe Min: 20 最小工作温度: - 65 C 安装风格: Through Hole
制造商: STMicroelectronics 产品种类: 双极电源 RoHS: 详细信息 晶体管极性: NPN 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3 集电极—发射极电压 VCEO: 60 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V 直流电集电极电流: 20 A 功率耗散: 150 W 封装: Bulk 集电极连续电流: 20 A DC Collector/Base Gain hfe Min: 5 工作频率: 0.2 MHz Standard Pack Qty: 100