价 格: | 0.10 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | L3715Z IRL3715Z IRL3715ZPBF | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
(深圳科顺龙电子)产品详情: | INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL3715ZPBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 20V 50A彭志毫
公司信息未核实
公司相关产品
DS2Y-S-DC12V AGY2323 DS2Y继电器 NAIS/松下 进口全新原装信息内容:dzsc/19/0902/19090289.jpg标准包装50类别继电器家庭信号,高达 2 A系列DS2Y继电器类型通用线圈类型无锁存线圈电流16.7mA线圈电压12VDC触点形式DPDT(2 C 型)触点额定值(电流)2A切换电压250VAC, 220VDC - 最小值关闭电压()8.4 VDC关闭电压(最小)1.2 VDC特点-安装类型通孔端接类型PC 引脚包装管件触点材料Silver(Ag),Gold (Au)操作时间4ms释放时间3ms线圈功率200 mW线圈电阻720 欧姆工作温度-40°C ~ 70°C产品目录页面深圳科顺龙电子微型继电器dzsc/19/0902/19090289.jpgdzsc/19/0902/19090289.jpgdzsc/19/0902/19090289.jpgdzsc/19/0902/19090289.jpg 分销IR全系列场效应管 原装现货 长期供应 IRFBG30 IRFBG30PBF信息内容:IRFBG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB-Vishay/SiliconixMOSFET N 通道,金属氧化物标准型5 欧姆 @ 1.9A, 10V1000V (1kV)3.1A4V @ 250µA80nC @ 10V980pF @ 25V125W通孔TO-220-3管数据列表IRFBG30产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 1.9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.1AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)980pF @ 25V功率 - 125W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3包装管件供应商设备封装TO-220AB产品目录页面1483 (CN2010-11 Interactive)1483 (CN2010-11 PDF)其它名称*IRFBG30PBF 相关产品 |