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分销IR全系列场效应管 原装现货 长期供应 IRFBG30 IRFBG30PBF

价 格: 0.01
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFBG30PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:VA/场输出级
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:1000(V)
夹断电压:500(V)
极间电容:980(pF)
漏极电流:3.1(mA)
耗散功率:125(mW)

IRFBG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB-Vishay/SiliconixMOSFET N 通道,金属氧化物标准型5 欧姆 @ 1.9A, 10V1000V (1kV)3.1A4V @ 250µA80nC @ 10V980pF @ 25V125W通孔TO-220-3
数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
IRFBG30
TO-220AB PKG
IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
1,000
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
5 欧姆 @ 1.9A, 10V
1000V (1kV)
3.1A
4V @ 250µA
80nC @ 10V
980pF @ 25V
125W
通孔
TO-220-3
管件
TO-220AB
1483 (CN2010-11 Interactive)
1483 (CN2010-11 PDF)
*IRFBG30PBF

彭志毫
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 彭志毫
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