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供应场效应管 TK5A53D,K5A53D

价 格: 面议
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
型号/规格:TK5A53D,TO-220F,DIP/MOS,N场,525V,5A,1.5Ω
材料:N-FET硅N沟道
用途:S/开关
品牌/商标:TOSHIBA/东芝
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型

产品型号:TK5A53D

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):525

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):5

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.4

功率PD(W):35

极间电容Ciss(PF):540

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):2.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):158

温度(℃): -55 ~150

描述:525V,5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)

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深圳市金城微零件有限公司
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