供应转为节能灯设计的三极管3DD13003H6D 华晶
| 价 格： | 350.00 | |
| 是否提供加工定制： | 否 | |
| 品牌/商标： | 无锡华晶 | |
| 型号/规格： | 3DD13003H6D | |
| 应用范围： | 开关 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | NPN型 | |
| 击穿电压VCBO： | 600（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 1.8（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 50（W） | |
| 结构： | 平面型 | |
| 封装形式： | 功率型 |
3DD13003H6D硅NPN型功率开关晶体管，主要用于电子节能灯、电子镇流器及手机充电器的功率开关电路。
推荐使用功率：20~23W
其特点如下：
1、 开关损耗低、可靠性高
2、 高温特性好
3、反向漏电流小
4、电流特性好
5、封装形式：TO-126
主要用途：
主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率开关电路，是该类电子产品的核心部件。
主要参数：
BVCEO=600V
IC=1.8A
Ptot=1.25W （Ta=25℃）
以上价格为不含税价！
本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。
产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。
欢迎来电洽谈。
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现货供应场效应管（功率MOSFET）SVD12N60 TO-220
信息内容：我公司为士兰微代理商，SVD12N60 TO-200 12A 600V，原装 现货 特价封装：TO-220 该产品部分相关参数如下：VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：600 V(Min.)ID（连续漏极电流Continuous Drain Current）: 12A (@TC = 25°C) RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 0.8 Ω(Max.) 现货，质量好，价格优，属于高性价比产品。 主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。 以上价格为不含税价！ 产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提供产品应用技术支持！ 本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。 "
供应功率场效应管（MOSFET）STK0465F TO-220F
信息内容：韩国AUK出品 韩国原产进口。品质保证，价格优惠。 TO-220F 该产品部分相关参数如下：VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：650 V(Min.)ID（连续漏极电流Continuous Drain Current）: 4A (@TC = 25°C)Ptot（耗散功率Total Power Dissipation）: 25W（TC=25℃）Crss（反馈电容Reverse Transfer Capacitance）：4 pF(Typ.)Qg(低栅电荷Low gate charge): 12.3 nC(Typ.)RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 3 Ω(Max.) 现货，质量好，价格优，属于高性价比产品。 主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。 以上价格为不含税价！ 产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提供产品应用技术支持！ 本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有：PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。
