价 格: | 2100.00 | |
品牌/商标: | SILAN/士兰微 | |
型号/规格: | SVD12N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SP/特殊外形 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2~4(V) | |
跨导: | 参见详细说明(μS) | |
极间电容: | 参见详细说明(pF) | |
漏极电流: | 参见详细说明(mA) | |
耗散功率: | 参见详细说明(mW) |
我公司为士兰微代理商,SVD12N60 TO-200 12A 600V,原装 现货 特价
封装:TO-220
该产品部分相关参数如下:
VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):600 V(Min.)
ID(连续漏极电流Continuous Drain Current): 12A (@TC = 25°C)
RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 0.8 Ω(Max.)
现货,质量好,价格优,属于高性价比产品。
主要应用:各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。
以上价格为不含税价!
产品详细资料欢迎来电索取,本公司还提供产品应用技术支持!
本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。
产品品种有:PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。
欢迎来电洽谈。
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韩国AUK出品 韩国原产进口。品质保证,价格优惠。 TO-220F 该产品部分相关参数如下:VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):650 V(Min.)ID(连续漏极电流Continuous Drain Current): 4A (@TC = 25°C)Ptot(耗散功率Total Power Dissipation): 25W(TC=25℃)Crss(反馈电容Reverse Transfer Capacitance):4 pF(Typ.)Qg(低栅电荷Low gate charge): 12.3 nC(Typ.)RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 3 Ω(Max.) 现货,质量好,价格优,属于高性价比产品。 主要应用:各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。 以上价格为不含税价! 产品详细资料欢迎来电索取,本公司还提供产品应用技术支持! 本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有:PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。
3DD13002B1硅NPN型功率开关晶体管,主要用于电子节能灯、电子镇流器及手机充电器的功率开关电路。推荐使用功率:10~13W其特点如下:1、 开关损耗低、可靠性高2、 高温特性好3、反向漏电流小4、电流特性好5、封装形式:TO-92主要用途:主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器及手机充电器等功率开关电路,是该类电子产品的核心部件。主要参数:BVCEO=400VIC=0.5APtot=0.8W (Ta=25℃) 以上价格为不含税价!本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。产品品种有:PWM控制器、场效应管、二极管、三极管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。欢迎来电洽谈。