价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STB42N65M5 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
极间电容: | 4650(pF) | |
漏极电流: | 33000(mA) | |
耗散功率: | 190000(mW) |
• VDS=710V
• ID=33A
• 导通电阻:R<0.079Ω
• 总耗散功率:190W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•导通电阻:RDS(on) = 0.15Ω •封装形式:TO-220AB
•封装形式:TO-263•导通电阻:RDS(ON)=82mΩ•栅极电荷量:QGD=47nC• 反向恢复时间:Trr=260nS•漏极电流:ID=21A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C