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仙童IBGT场效应管FGA15N120ANTDTU TO-3P 质量保证特价

价 格: 0.01
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格:FGA15N120ANTDTU
材料:ALGaAS铝镓砷
用途:MOS-HBM/半桥组件
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:耗尽型

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制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电极—发射极电压 VCEO:  1200 V   
 
栅极/发射极电压:  /- 20 V   
 
功率耗散:  186 W   
 
工作温度:  150 C   
 
封装 / 箱体:  TO-3P-3   
 
封装:  Tube   
 
集电极连续电流 Ic:  30 A  
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
安装风格:  Through Hole  
 
Standard Pack Qty:  30  
 供应仙童系列,品质保证!保证原装,符合ROHS环保要求。MOSFET:场效应管FSC FQP50N06 FQP70N08 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 FQP33N1FQP55N10 FQP90N10V2 FQP46N15 FQP34N20 FQP34N20 FQP13N50 FQP18N50V2 FQP5N60CFQP6N80C FQP7N80 FQP4N90 FQP4N90C FQP5N90 FQP6N90C FQA160N08 FQA70N10 FQA140N10 FQA70N15 FQA90N15 FQA34N20 FQA48N20 FQA65N20 FQA17N40FQA35N40 FQA62N25C FQA17N40 FQA35N40 FQA16N50 FQA24N50 FQA10N80FQA13N80 FQA7N90 FQA9N90 FQA11N90C FQL40N50 SSH70N10A FQP9N90CFQA90N08 FQA55N25 FQA62N25C FQA28N50 FQA24N60 FQP12N60 FQP70N10FQA38N30 FQP17P06 FQP47P06 FQP12P20 FQP3P50 ISL9N304AP3 SFP9530/9540,SFP9630/9640,仙童系列IGBT系列:FGA25N135AND,FGA25N120AND FGA15N120AND HGTG18N120BND HGTG11N120CNDHGTG10N120BND HGTG5N120BND SGP10N60RUFD SGH15N60RUFD SGH20N60RUFDSGH30N60RUFD SGL50N60RUFD FGL60N100BNTD FGH40N6S2/DF FK60N6S2DFGA50N60LS SGP13N60UFD SGH23N60UFD SGH40N60UFD SGH80N60UFD SGL160N60UFD FGH50N3S2 FGL60N100BNTD FGH50N3S2 FGA50N60LS FMG2G100US60 FMG2G150US60FMG2G300US60 FMG2G400US60 FMG2G50US120 FMG2G75US120 FSM10SH60 FSM15SH60FSM20SM60A FSAM30SM60A SGP13N60UFD SGP23N60UFD SGP40N60UFD SGP80N60UFDSGP160N60UFD HGTG12N60A4D HGTG20N60A4D HGTG30N60A4D FGH40N6S2/D,FGK60N6S2D超快恢复二极管:RHRP8120,RHRP15120,RHRP30120,RHRG30120,RHRG75120.ISL9R860P2,ISL9R1560P2,ISL9K1560G3,ISL9R3060G3,ISL9K3060G3,ISL9R30120G2,FFH30US30DN,FFH50US60S,FFH30US30DN,FFH50US60S,FFPF06U20DN,,FFA15U20DN,FFA30U20DN,FFPF10U30DN,FFA15U40DN,FFA20U40DN,FFPF20U60S,FFPF10U60DN,FFA20U60DN,FFA30U60DN,FFA60U60DN.肖特基二极管:MBRP1545N,MBRA3045,FYP2010DN,FYP3010DN。 仙童 FQA11N90C,FQA9N90C 供应场效应管FQA11N90C,FQA9N90C。

 

深圳市福田区宏诚辉电子商行
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信息内容:

仙童/ST原厂进口原装达林顿三极管 BD241C 仙童/ST原厂进口原装达林顿三极管 BD241C BD241C产品规格 参数 数据列表 BD241/A/B/C 产品相片 TO-220-3 Pkg 产品变化通告 Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 晶体管(BJT) - 单路系列 -晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)() 3A 电压 - 集电极发射极击穿() 100V Ib、Ic条件下的Vce饱和度() 1.2V @ 600mA, 3A 电流 - 集电极截止() 300µA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 25 @ 1A, 4V 功率 - 40W 频率 - 转换 - 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220 包装 管件

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