价 格: | 面议 | |
是否提供加工定制: | 是 | |
品牌/商标: | WS/ON/TI | |
型号/规格: | TL431A | |
应用范围: | 放大 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCEO: | 22(V) | |
集电极允许电流ICM: | 22(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 22(W) | |
截止频率fT: | 22(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 金属封装 |
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 基准电压& 基准电流
RoHS: 详细信息
产品: Voltage References
拓扑结构: Shunt References
输出电压: Adjustable
初始准确度: 1 %
平均温度系数(典型值): 50 PPM / C
串联 VREF - 输入电压(值): 37 V
分流电流(值): 100 mA
工作温度: 85 C
封装 / 箱体: PDIP-8
封装: Tube
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Through Hole
分流电流(最小值): 1 mA
Standard Pack Qty: 50
仙童/ST原厂进口原装达林顿三极管 BD241C 仙童/ST原厂进口原装达林顿三极管 BD241C BD241C产品规格 参数 数据列表 BD241/A/B/C 产品相片 TO-220-3 Pkg 产品变化通告 Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 晶体管(BJT) - 单路系列 -晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)() 3A 电压 - 集电极发射极击穿() 100V Ib、Ic条件下的Vce饱和度() 1.2V @ 600mA, 3A 电流 - 集电极截止() 300µA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 25 @ 1A, 4V 功率 - 40W 频率 - 转换 - 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220 包装 管件
东芝/仙童全新原装三极管2SC2655-Y C2655 C2655Y TO-92L 东芝/仙童全新原装三极管2SC2655-Y C2655 C2655Y TO-92L 2SC2655-Y C2655 C2655Y产品规格 参数 PDF Datasheets 2SC2655Product Photos TO-92 PKGStandard Package 200Category Discrete Semiconductor ProductsFamily Transistors (BJT) - SingleSeries -Transistor Type NPNCurrent - Collector (Ic) (Max) 2AVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1ACurrent - Collector Cutoff (Max) -DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2VPower - Max 900mWFrequency - Transition 100MHzMounting Type Through HolePackage / Case TO-226-3, TO-92-3 Long BodySupplier Device Package LSTMPackaging Bulk "