价 格: | 0.50 | |
品牌/商标: | 拆机场效应 | |
型号/规格: | FS10SM--16 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
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产品参数 T=25
Characteristics(参数) | Symbol(符号) | Value(额定值) | Units(单位) |
漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
连续漏极电流 | I d | 2.4 | A |
栅源电压 | V gs | ±30 | V |
雪崩能量 | E as | 140 | mJ |
耗散功率 | P d | 64 | W |
储存温度 | T stg | -55~150 | ℃ |
热阻(结到壳) | R jc | 1.95 | ℃/W |
正向压降 | V sd | 1.4 | V |
dzsc/19/0894/19089437.jpgdzsc/19/0894/19089437.jpgdzsc/19/0894/19089437.jpg长期经营拆机场效应 11N60 40N60 2N60
dzsc/19/0929/19092910.jpgdzsc/19/0929/19092910.jpgdzsc/19/0929/19092910.jpgdzsc/19/0929/19092910.jpg产品参数 T=25 Characteristics(参数)Symbol(符号)Value(额定值)Units(单位)漏源反向击穿电压BV dss600V连续漏极电流I d2.4A栅源电压V gs±30V雪崩能量E as140mJ耗散功率P d64W储存温度T stg-55~150℃热阻(结到壳)R jc1.95℃/W正向压降V sd1.4V长期经营场效应 2SK2367 2SK2368 2SK2369"