长期经营拆机场效应 11N60 40N60 2N60
| 价 格： | 0.70 | |
| 品牌/商标： | 进口 | |
| 型号/规格： | 11N60 40N60 2N60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
dzsc/19/0894/19089437.jpg
dzsc/19/0894/19089437.jpg
dzsc/19/0894/19089437.jpg
长期经营拆机场效应 11N60 40N60 2N60
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 曾凌群
- 电话：
- 传真：
- 手机：15989829503
- QQ ：
长期经营场效应 2SK2367 2SK2368 2SK2369
信息内容：dzsc/19/0929/19092910.jpgdzsc/19/0929/19092910.jpgdzsc/19/0929/19092910.jpgdzsc/19/0929/19092910.jpg产品参数 T=25 Characteristics(参数）Symbol(符号）Value(额定值）Units(单位）漏源反向击穿电压BV dss600V连续漏极电流I d2.4A栅源电压V gs±30V雪崩能量E as140mJ耗散功率P d64W储存温度T stg-55～150℃热阻（结到壳）R jc1.95℃/W正向压降V sd1.4V长期经营场效应 2SK2367 2SK2368 2SK2369"
长期经营场效应 2SK2479
信息内容：dzsc/19/1255/19125574.jpgdzsc/19/1255/19125574.jpgdzsc/19/1255/19125574.jpg产品参数 T=25 Characteristics(参数）Symbol(符号）Value(额定值）Units(单位）漏源反向击穿电压BV dss600V连续漏极电流I d2.4A栅源电压V gs±30V雪崩能量E as140mJ耗散功率P d64W储存温度T stg-55～150℃热阻（结到壳）R jc1.95℃/W正向压降V sd1.4V公司为了方便广大客户需求！可以为产品进行翻新，接脚等！同时公司为了保证产品质量特别引进一系列先进检测设备，每一个产品在发货之前都会进行严格的检测。或者使用之前可以先提供样品！以满足客户的基本要求。如若本公司的不良品超出合格率之外还可以进行换货处理。公司秉承“顾客至上，平等互利，锐意进取”的经营理念，坚持“客户”的原则为广大新老客户提供优质的服务。欢迎广大新老客户惠顾！"
