价 格: | 面议 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | ST稳压三极管 | |
型号/规格: | L7809CV/L7809CD2T | |
应用范围: | 达林顿 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | 35(V) | |
集电极允许电流ICM: | 1.5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | ST(W) | |
截止频率fT: | ST(MHz) | |
结构: | 外延型 | |
封装形式: | TO-220/D2PAK | |
封装材料: | 树脂封装 |
50 |
集成电路 (IC) |
PMIC - 稳压器 - 线性 |
- |
正,固定式 |
9V |
35V |
2V @ 1A |
1 |
1.5A |
- |
0°C ~ 125°C |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
dzsc/19/0672/19067281.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 2.1 V 栅极/发射极电压: /- 20 V Continuous Collector Current at 25 C: 40 A 栅极—射极漏泄电流: /- 100 nA 功率耗散: 160 W 工作温度: 150 C 封装 / 箱体: TO-3P-3 封装: Tube 集电极连续电流 Ic: 40 A 最小工作温度: - 55 C 安装风格: Through Hole Standard Pack Qty: 30 零件号别名: SGH40N60UFDTU_NL "
标准包装50类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)()10A电压 - 集电极发射极击穿()100VIb、Ic条件下的Vce饱和度()2.5V @ 6mA,3A电流 - 集电极截止()500µA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)750 @ 3A,3V功率 - 70W频率 - 转换-安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件