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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
栅极/发射极电压: /- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 40 A
栅极—射极漏泄电流: /- 100 nA
功率耗散: 160 W
工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-3P-3
封装: Tube
集电极连续电流 Ic: 40 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
Standard Pack Qty: 30
零件号别名: SGH40N60UFDTU_NL
标准包装50类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)()10A电压 - 集电极发射极击穿()100VIb、Ic条件下的Vce饱和度()2.5V @ 6mA,3A电流 - 集电极截止()500µA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)750 @ 3A,3V功率 - 70W频率 - 转换-安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件
标准包装50类别集成电路 (IC)家庭PMIC - AC-DC 转换器,离线开关系列-输出隔离-频率范围45kHz ~ 55kHz输入电压9 V ~ 30 V输出电压800V功率(瓦特)75W工作温度25°C ~ 160°C封装/外壳TO-220-4 全封装 (成形引线)供应商设备封装TO-220F-4L