供应三菱模块CM200DU-12H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM200DU-12H | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块CM200DU-12H
CM200DU-12H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）3V @ 15V, 200A 电流 - 集电极 (Ic)（）200A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)17.6nF @ 10V 功率 - 650W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 IGBT是绝缘栅双极晶体管,英文名称Insulated Gate Bipolar Transistor,简写为IGBT. IGBT是一个复合器件,它是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。其输入部分为MOSFET,输出控制部分为双极结型三级晶体管,因此兼有MOSFET和电力晶体管的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12ECM100DY-12E CM200DU-12E CM150DY-12E CM300DU-12E
CM200DY-12E CM400DU-12E CM300DY-12E CM400DY-12E
CM50DY-24H CM300DY-28H CM75DY-24E CM75DU-24E
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供应三菱模块CM150E3U-12E
信息内容：供应三菱模块CM150E3U-12E IGBT的工作原理 IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给使得晶体管截止。 dzsc/19/0640/19064026.gif 由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定： ——IGBT栅极与发射极之间的电压; ——IGBT集电极与发射极之间的电压; ——流过IGBT集电极－发射极的电流; ——IGBT的结温。 如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压,流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会性损坏。 CM100DU-12H CM100E3U-12E CM150DU-12H CM150E3U-12E CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E CM100DY-12E CM200DU-12E CM150DY-12E CM300DU-12...
供应三菱模块CM150DU-12H
信息内容：供应三菱模块CM150DU-12H CM150DU-12H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）3V @ 15V, 150A 电流 - 集电极 (Ic)（）150A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)13.2nF @ 10V 功率 - 600W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 IGBT模块的选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
