供应CM75DY-12H三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM75DY-12H | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应CM75DY-12H三菱模块
IGBT的模块内置整流模块电路、逆变主回路和再生回路，以降低损耗和降低成本，这种新型模块称为功率集成模块，简称PIM(PowerIntegratedModule)。IGBT模块是一种高速开关，第四代IGBT在开发中主要采取如下几项新技术。(1)FWD(FreeWheelingDiode)技术
在模块中选用降低正向电压(VF)的二极管器件，据测试在600V和1200V系列中，逆变器载波频率为10kHz时产生的损耗与旧系列相比降低20%。
(2)蚀刻模块单元的微细化技术
由于控制极的宽度(LH)已达到化设计，故集电—射极之间的饱和电压VCE(SAT)可降低0.5V，使开关损耗降低。
(3)NPT(NonPunchThrough)技术
使载流子寿命得到控制，从而减少开关损耗对温度的依存性。这样，可减少长期使用过程中的开关损耗。
对于IGBT这类高速开关的要求无非是高速性和柔性恢复性。对于正向电压VF和恢复损耗Err二者相比，在设计时宁可选择较高的VF值。但当选用高VF值在变频器低频工作时，将会使FWD的导通时间加长并使平均损耗增加，也使变频器在低速高力矩时温升提高。为此第四代IGBT特别注意到设计的电极构造，从而改善了VF、Err关系，使FWD的VF降低0.4V～0.5V，总损耗减少20%
CM50DY-12H CM50E3Y-12E CM75DY-12H CM75E3Y-12E
CM100DY-12H CM100E3Y-12E CM150DY-12H CM150E3Y-12E
CM200DY-12H CM200E3Y-12E CM300DY-12H CM300E3Y-12E
CM400DY-12H CM50E3U-12E CM75DU-12H CM75E3U-12E
CM100DU-12H CM100E3U-12ECM150DU-12H CM150E3U-12E
CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E
公司一直本着“质量，价格合理，交货快捷，客户至上”的经营宗旨，公司货源一手，在广大用户的大力支持下，业务日益发展。公司经营的电力功率模块，主要用于航天航空，机场设施，电机调速，矿山焊机，船舶舰艇，变频设备等高科 技领域。
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供应三菱模块CM150TU-12E
信息内容：供应三菱模块CM150TU-12E IGBT的输出特性与转移特性 IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。 相似型号： CM100TF-12E CM100TF-24E CM150TF-12E CM50TU-24E CM75TU-12E CM75TU-24E CM100TU-12E CM100TU-24E CM50TF-CM200TU-12H CM75TF-28H CM100TF-28H CM100DY-24A CM150DY-24A CM200DY-24A CM300DY-24A CM400DY-24A CM600DY-24A CM800DY-24A CM1200DY-24A CM100DY-24NF CM150DY-24NF
供应CM75DY-28H三菱模块
信息内容：供应CM75DY-28H三菱模块 CM75DY-28H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）4.2V @ 15V, 75A 电流 - 集电极 (Ic)（）75A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)15nF @ 10V 功率 - 600W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 IGBT模块的选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
