供应三菱模块CM150TU-12E
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM150TU-12E | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块CM150TU-12E
IGBT的输出特性与转移特性
IGBT与MOSFET的对比MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
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信息内容：供应CM75DY-28H三菱模块 CM75DY-28H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）4.2V @ 15V, 75A 电流 - 集电极 (Ic)（）75A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)15nF @ 10V 功率 - 600W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 IGBT模块的选择 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
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信息内容：供应CM300DU-24E三菱模块 怎样选择IGBT模块 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。CM100DY-12H CM100E3Y-12E CM150DY-12H 相似型号： CM200DY-12H CM200E3Y-12E CM300DY-12H CM300E3Y-12E CM400DY-12H CM50E3U-12E CM75DU-12H CM75E3U-12E CM100DU-12H CM100E3U-12E CM150DU-12H CM150E3U-12E CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E CM100DY-12E CM200DU-12E CM150DY-12E CM300DU-12E CM200DY-12E CM400DU-12E CM300DY-12E CM400DY-12E
